网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响


参考答案和解析
都正确
更多 “理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响” 相关考题
考题 CCD在中文名称是(). A.半导体材料B.电荷耦合部件C.传感器D.金属半导体

考题 CPD是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

考题 MOS是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

考题 一般说来,如果半导体表面吸附有气体,则半导体和吸附的气体之间会有电子的施受发生,造成电子迁移,从而形成()。 A、电流B、电势差C、表面电荷层D、深层电荷

考题 绝热过程中的技术功等于过程初态和终态的焓差。这个结论仅适用于( )。A.理想气体 B.水蒸气 C.所有工质 D.实际气体

考题 在一般网络可靠性模型中,用一定函数式来表示部件的两态对系统两态的影响,这个函数式称为()。A、函数B、态函数C、网络函数D、结构函数

考题 CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化

考题 理想同步电机的简化条件是()A、导磁系数为变量B、转子结构不对称C、空载电势为正弦函数D、定子和转子考虑槽的影响

考题 玻璃态半导体是一种具有无定形结构的晶体半导体。

考题 CCD在中文名称是().A、半导体材料B、电荷耦合部件C、传感器D、金属半导体

考题 纯净的半导体的导电能力不比金属差。

考题 双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

考题 纯净半导体的导电能力不比金属导体差。()

考题 将金属插入含该金属离子的溶液中,由于金属的溶解或溶液中金属离子在金属表面上沉积,可能使金属表面带上某种电荷,产生界面电势。若已知Zn│ZnSO4电极的标准电极电势=-0.763伏,则金属锌表面上所带的电荷一定是()A、 正电荷B、 负电荷C、 不带电荷, 因为溶液始终是电中性的D、 无法判断, 可能是正电荷也可能是负电荷

考题 热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的()制成的感温元件.A、金属导体B、半导体C、金属导体或半导体D、绝缘体

考题 实际气体的内能是()的函数,理想气体的内能仅是()的函数。理想气体进行等温膨胀时,对外界做的功和内能()。

考题 一般说来,如果半导体表面吸附有气体,则半导体和吸附的气体之间会有电子的施受发 生,造成电子迁移,从而形成()A、电流B、电势差C、表面电荷层D、深层电荷

考题 两平行金属板带有等异号电荷,若两板的电势差为120V,两板间相距为1.2mm,忽略边缘效应,求每一个金属板表面的电荷密度各为多少?

考题 从同一始态膨胀至体积相同的终态时,为什么理想气体的恒温膨胀功总大于绝热可逆膨胀功?

考题 名词解释题金属-半导体功函数差

考题 单选题在一般网络可靠性模型中,用一定函数式来表示部件的两态对系统两态的影响,这个函数式称为()。A 函数B 态函数C 网络函数D 结构函数

考题 填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时,接近半导体表面处的()被排斥,留下()形成()。

考题 填空题当红外辐射照在半导体表面时,电子空穴由束缚态变为自由态使半导体电性能现象称为()。

考题 判断题用来制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A 对B 错

考题 单选题带电金属的电荷分布在()。A 随机分布B 表面和内部C 表面D 内部

考题 单选题关于电势差和电场力做功的说法中,()是正确的。A 电势差是矢量,电场力做的功是标量B 在两点间移动电荷,电场力不做功,则两点间的电势差为零C 在两点间被移动的电荷的电荷量越少,则两点间的电势差越大D 在两点间移动电荷时,电场力做正功,则两点间的电势差大于零

考题 多选题对于CMOS晶体管,要得到良好受控的阈值电压,需要控制()等工艺参数。A氧化层厚度;B沟道中掺杂浓度;C金属半导体功函数;D氧化层电荷。

考题 单选题CCD在中文名称是().A 半导体材料B 电荷耦合部件C 传感器D 金属半导体