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理想的MOS结构不需要考虑金属-半导体功函数差和有效表面态电荷的影响
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考题
CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
考题
将金属插入含该金属离子的溶液中,由于金属的溶解或溶液中金属离子在金属表面上沉积,可能使金属表面带上某种电荷,产生界面电势。若已知Zn│ZnSO4电极的标准电极电势=-0.763伏,则金属锌表面上所带的电荷一定是()A、 正电荷B、 负电荷C、 不带电荷, 因为溶液始终是电中性的D、 无法判断, 可能是正电荷也可能是负电荷
考题
单选题关于电势差和电场力做功的说法中,()是正确的。A
电势差是矢量,电场力做的功是标量B
在两点间移动电荷,电场力不做功,则两点间的电势差为零C
在两点间被移动的电荷的电荷量越少,则两点间的电势差越大D
在两点间移动电荷时,电场力做正功,则两点间的电势差大于零
考题
单选题CCD在中文名称是().A
半导体材料B
电荷耦合部件C
传感器D
金属半导体
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