填空题在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。

填空题
在P型衬底MOS结构的金属电极上施加正电压时，接近半导体表面处的（）被排斥，留下（）形成（）。

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相关考题：

在纯净的半导体硅中加入少量的三价元素,形成()。 A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体D、导体
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在纯净半导体中,掺入三价元素,就会形成()型半导体,如掺入五价元素,就会形成()型半导体。 A、P,NB、N,PC、P,PD、N,N
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CCD（电荷耦合器件）的基本单元是MOS电容，在P型硅基质上，通过氧化生成的氧化膜，即二氧化硅绝缘层，再在绝缘层上通过蒸发和（）形成条形金属电极就构成了MOS结构。A、光刻技术B、转移电荷C、光电效应D、光电转化
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通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
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在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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在杂质半导体中，（）是掺入三价元素形成的。A、本征半导体B、PN结C、N型半导体D、P型半导体
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双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ，因此（）就是由双极型半导体构成。
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在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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在纯净的半导体硅中加人少量的三价元素，形成（）。 A、P型半导体B、N型半导体C、绝缘体
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在本征半导体中掺入少量的三价元素杂质就形成（）。A、P型半导体B、N型半导体C、异性半导体D、C型半导体
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在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
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异质结太阳能电池的结构是在P型基片上，覆盖一层n型顶区层，两者的交界面构成一个异质结，然后在顶区层下面制作栅状金属电场，正背制作底面金属电极。
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衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
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在纯净的半导体中加入少量的+5价元素，形成（）A、本征半导体B、N型半导体C、P型半导体D、杂质半导体
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在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。（）A、五价B、四价C、三价
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源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
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CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
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p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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在纯净的半导体中，掺微量杂质则导电能力会（）在P型半导体和N型半导体之交界处的薄层叫（）。
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N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
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填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加（），并用金属线把这个（）与P型衬底内的（）电位相连接。
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单选题关于P型半导体的下列说法，错误的是（）。A空穴是多数载流子B在二极管中，P型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，掺杂五价元素，可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中，基区正是由P型半导体构成
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单选题关于N型半导体的下列说法，正确的是（）。A只存在一种载流子：自由电子B在二极管中，N型半导体一侧接出引线后，是二极管的正极C在纯净的硅衬底上，分散三价元素，可形成N型半导体D在PNP型的晶体管中，基区正是由N型半导体构成
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填空题在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
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填空题P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
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