多选题对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。A氧化层厚度；B沟道中掺杂浓度；C金属半导体功函数；D氧化层电荷。
多选题
对于CMOS晶体管，要得到良好受控的阈值电压，需要控制（）等工艺参数。
A
氧化层厚度；
B
沟道中掺杂浓度；
C
金属半导体功函数；
D
氧化层电荷。
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解析：
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