双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。


相关考题:

静态随机存储器可以用双极型器件构成,也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比,下面哪一项不是它的特点( )A.工艺较简单B.集成度较低C.存取速度低D.功耗比较大

()结具有单向导电能力,将P型半导体连电池()极,n型半导体连电池()极,电流能通过()结流通。

下列关于半导体的说法正确的是()。 A、P型半导体带正电,N型半导体带负电B、稳压二极管在稳压时工作在反向击穿状态C、整流二极管和稳压二极管可以互换使用D、以上说法都是错误的

227)下图为某一半导体三极管T的图形符号,由该图形符号可知该半导体三极管T是NPN型半导体三极管。( )

二极管的阳极从N型半导体引出,阴极从P型半导体引出。A对B错

p型半导体的一端叫()极,n型半导体的一端叫()极。

()结具有单向导电能力,将n型半导体连电池()极,p型半导体连电池()极,电流不能通过()结流通。

()都不能单独构成半导体器件,PN结才是构成半导体器件的基本单元。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、NPN型半导体

二极管由P型半导体引出的电极为()

单极型半导体器件是()。A、二极管B、双极型三极管C、场效应管D、稳压管

与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A、速度快B、集成度高C、功耗大

关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

单极型半导体器件是()。A、二极管B、双极性二极管C、场效应管

半导体三极管分为()型和()型两类。

场效应管属于()型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是()型器件。

二极管是P型半导体和N型半导体接合而成的。

二极管的阳极从N型半导体引出,阴极从P型半导体引出。

二极管是由()、电极引线以及外壳封装构成的。A、一个PN结B、P型半导体C、N型半导体D、本征半导体

双极型半导体器件是()A、二极管B、三极管C、场效应管D、稳压管

双极型半导体器件是()。A、二极管B、三级管C、场效应管D、稳压管

单选题关于P型半导体的下列说法,错误的是()。A空穴是多数载流子B在二极管中,P型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,掺杂五价元素,可形成P型半导体D在NPN型的晶体管中,基区正是由P型半导体构成

问答题半导体和金属导体的导电机理有什么不同?单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同?

单选题关于N型半导体的下列说法,正确的是()。A只存在一种载流子:自由电子B在二极管中,N型半导体一侧接出引线后,是二极管的正极C在纯净的硅衬底上,分散三价元素,可形成N型半导体D在PNP型的晶体管中,基区正是由N型半导体构成

单选题关于N型半导体的下列说法,错误的是:()A自由电了是多数载流子B在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C在纯净的硅晶体中三价元素硼,可形成N型半导体D在PNP型晶体管中,基区是N型半导体

填空题双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

单选题与动态MOS存储器相比,不是双极型半导体存储器的特点是()。A速度快B集成度高C功耗大

填空题二极管由P型半导体引出的电极为()