MOS是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他

MOS是()的简称。

A、电荷耦合器件

B、金属氧化物半导体

C、电荷引动元件

D、其他

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静态MOS存储元、动态MOS存储元各有什么特点?

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题2-2-3、下列说法正确的是（）。A．MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。B．MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。C．MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。D．MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

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下列说法正确的是。A．MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。B．MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。C．MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。D．MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

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下列关于MOS叙述正确的是。A．增强型MOS没有原始的导电沟道B．增强型MOS有原始的导电沟道C．耗尽型MOS没有原始的导电沟道D．耗尽型MOS有原始的导电沟道

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关于MOS电容，以下说法正确的是A．MOS电容是固定电容B．MOS电容就是MOS栅氧化层电容C．MOS电容在高频和低频时的特性是不一样的D．随着栅电压增加，MOS电容会减小

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强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型

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同种工艺下，不同MOS管版图形状区别也很大，其主要的原因是因为A．MOS管宽度参数不同B．MOS管长度参数不同C．MOS管衬底不同D．MOS管栅极电压不同

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在MOS管的版图绘制中，若有两个MOS管有源区共用，则可以判定这2个MOS管是串联关系。

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