下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
集成电路正确的分类方法是（）。A、按用途B、按功能C、按导电类型D、按制造工艺E、按集成度
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
填空题列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。A对B错
填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
填空题集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
问答题在双极集成电路制造中，为什么要采用外延和埋层工艺？
单选题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A集成电路制造（晶圆加工）B集成电路封装C集成电路测试D集成电路设计
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对B错
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途？