光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。A、掩膜版B、扩散C、光刻
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。A、特殊B、专用C、相同D、不同
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。A、干法刻蚀、湿法刻蚀B、离子束刻蚀、激光刻蚀C、溅射加工、直写加工D、以上都可以
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。A、薄膜厚度B、图形宽度C、图形长度D、图形间隔
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。
判断题集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。A对B错
单选题微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。Aa.离子束刻蚀、激光刻蚀Bb.干法刻蚀、湿法刻蚀Cc.溅射加工、直写加工
单选题刻蚀是用化学方法或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要材料的工艺过程，其基本目标是（）。A 有选择地形成被刻蚀图形的侧壁形状B 在涂胶的硅片上正确地复制掩膜图形C 变成刻蚀介质以形成一个凹槽D 在大于3微米的情况下，混合发生化学作用与物理作用
判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。A对B错
判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
判断题投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。A对B错
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
判断题不正确的刻蚀将导致硅片报废，给硅片制造公司带来损失。A对B错
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A对B错
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A光刻B刻蚀C氧化D溅射
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对B错
判断题制备光刻掩膜版，希望黑白区域间的过渡区越大越好。A对B错