下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。 A、膜集成电路B、半导体集成电路C、混合集成电路D、模拟集成电路
光固化成形工艺也称()。 A.立体光刻B.分层实体制造C.选区激光烧结
LIGA (光刻)工艺制造微电子芯片属于精密特种加工。() 此题为判断题(对，错)。
B型超声诊断仪制造工艺采用（）A、光刻B、声刻C、雕刻D、透镜
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A、光刻B、刻蚀C、氧化D、溅射
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
集成电路按照制造工艺可分为（）。A、半导体集成电路B、薄膜集成电路C、数字集成电路D、厚膜集成电路
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
选择性层片粘接的典型工艺是（）。A、立体光刻B、分层实体制造C、熔融沉积成型D、选择性激光烧结
问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？
填空题常规集成电路平面制造工艺主要由（）、（）、（）、（）、（）等工艺手段组成。
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行，而光刻区对净化级别要求最高，如普通制造环境为1000级，则光刻区的净化环境则为10000级。A对B错
单选题在较先进的集成电路制造工艺中，通常采（）来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化
单选题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A集成电路制造（晶圆加工）B集成电路封装C集成电路测试D集成电路设计
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A对B错
单选题实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。A光刻B刻蚀C氧化D溅射
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
填空题集成电路制造工艺技术主要包括：热工艺、（）、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？