把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上，就构成集成电路，根据制造工艺的不同，把数字集成电路分为哪两种。（）A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路
硅外延片的应用包括（）。A、二极管和三极管B、电力电子器件C、大规模集成电路D、超大规模集成电路
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。A、埋层B、外延C、PN结D、扩散电阻E、隔离区
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。A、数字B、厚膜C、小规模D、专用
按制造工艺集成电路分为（）。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路
目前，还不能利用集成电路工艺制造（）。A、低频三极管B、大电容C、二极管D、NPN三极管
在采油工艺流程中为什么要检测工艺装备中的液位和界面？
集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
在集成电路中，因制造方便的原因，（）用的较多。A、三极管B、电阻C、电容D、电感
问答题简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。
问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？
判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。A对B错
单选题在集成电路加工制造中，通常所指前道工艺为（）A集成电路制造（晶圆加工）B集成电路封装C集成电路测试D集成电路设计
问答题四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用？
填空题要提高生产率可采用的先进工艺方法有（），采用毛坯制造工艺和（）。
问答题在集成电路制造工艺中，轻掺杂漏（LDD）注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场，从而防止热载流子的产生？
填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、（）、封装等工序。
问答题Si3N4材料在半导体工艺中能否用作层间介质，为什么？请举两例说明Si3N4在集成电路工艺中的应用。
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
判断题双极型集成电路工艺是用来制造CMOS集成电路。A对B错
问答题在双极集成电路和MOS集成电路工艺中，为什么都要用外延层？
问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
问答题为什么说半导体材料在集成电路制造中起着根本性的作用？
问答题为什么采用AlGaAs/GaAs异质结结构制造的双极型晶体管（HBT）具有好的性能？