问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
问答题
集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
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集成电路中元器件的特点是（）。A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PFD、集成电路中的三极管是低频小功率管E、集成电路中的二极管是高性能管
单选题片上系统是嵌入式处理器芯片的一个重要品种，下列叙述中错误的是（）。ASoC已经成为嵌入式处理器芯片的主流发展趋势B它是集成电路加工工艺进入到深亚微米时代的产物C片上系统使用单个芯片进行数据的采集、转换、存储和处理，但不支持I/O功能D片上系统既能把数字电路也能把模拟电路集成在单个芯片上
多选题关于集成电路中的无源器件说法正确的是（）A集成电路无法高效的实现高值无源器件。B要精确实现某一特定阻值的电阻几乎是不可能的。C由于制造工艺上的偏差，无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）也必定很大。D尽管存在制造工艺上的偏差，但是无源器件的比例容差（Ratio Tolerance）可以控制在很小的范围内。
判断题干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法，湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下刻蚀器件，例如大于3微米。A对B错