填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

填空题
常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有()、()、()、()、()、()、()等。

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相关考题:

简述光刻工艺原理及在芯片制造中的重要性?

光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。

集成电路的基本制造工艺是:首先是对圆柱形的单晶硅进行(),生产大片的(),并在其上制造出大量电路单元。

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

下面关于集成电路的叙述中错误的是()A、集成电路是上世纪50年代出现的B、集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成C、集成电路使用的都是半导体硅材料D、集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切的关系

填空题常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。常规平面工艺扩散工序中的有限表面源扩散过程中,杂质在体内满足()函数分布。

问答题双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?

填空题常规集成电路平面制造工艺主要由()、()、()、()、()等工艺手段组成。

问答题简述光刻工艺的8道工序

问答题光刻工艺分为哪些步骤?

问答题简述光刻工艺步骤。

判断题集成电路制造需要在告别净化环境下进行,而光刻区对净化级别要求最高,如普通制造环境为1000级,则光刻区的净化环境则为10000级。A对B错

单选题半导体集成电路是微电子技术的核心。下面有关集成电路的叙述中错误的是()。A集成电路有小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模等多种,嵌入式处理器芯片一般属于大规模集成电路B集成电路的制造大约需要几百道工序,工艺复杂且技术难度非常高C集成电路大多在硅衬底上制作而成,硅衬底是单晶硅锭经切割、研磨和抛光而成的圆形薄片D集成电路中的电路及电子元件,需反复交叉使用氧化,光刻,掺杂和互连等工序才能制成

填空题提拉出合格的单晶硅棒后,还要经过()、()、()等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。

单选题在较先进的集成电路制造工艺中,通常采()来实现掺杂。A刻蚀B离子注入C光刻D金属化

填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路,需要()、()、()、()、()、()等六次光刻。

判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错

填空题集成电路制造通常包括集成电路设计、工艺加工、()、封装等工序。

判断题集成电路制造与集成电路设计相关纽带是光刻掩膜版。A对B错

单选题下面关于集成电路的叙述中错误的是()A集成电路是上世纪50年代出现的B集成电路的许多制造工序必须在恒温、恒湿、超洁净的无尘厂房内完成C集成电路使用的都是半导体硅材料D集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切的关系

填空题半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、()、晶体管等元器件并具有某种电路功能的集成电路。

问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。

填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对B错

填空题集成电路制造中掺杂类工艺有()和()两种。

问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

填空题光刻工艺的主要工序有:()组成。