导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
二极管2CZ54D的正向压降约为()。A、0.2VB、0.7VC、0.9VD、1.2V
流过10KΩ电阻的电流为3mA，电阻两端电压为（）。A、3VB、30VC、0.3VD、300V
硅半导体二极管的死区电压约为（）。A、0.2VB、1.2VC、0.5VD、1.5V
硅二极管和导通电压约为（）.A、0.3VB、0.7VC、7VD、10V
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
锗二极管的正向导通电压是（）。A、0.3VB、0.7VC、1.2VD、2.2V
硅二极管的正向导通电压一般是（）V。A、1VB、0.7VC、2VD、7V
锗二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
硅二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
单选题硅二极管两端典型电压差为（）。A0.2VB0.7VC0.3VD0.8V
单选题硅管的导通电压为（）A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V