硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
硅二极管的死区约为（）V左右。A、0.2B、零C、0.5D、2
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
从输入特性曲线上看，硅管的死区电压约为（）.A、0.1VB、0.3VC、0.5VD、1V
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
硅二极管两端典型电压差为（）。A、0.2VB、0.7VC、0.3VD、0.8V
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
晶体管工作在放大状态时，发射结正偏，对于硅管约为（），锗管约为0.3V。A、0.2VB、0.3VC、0.5VD、0.7V
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？