硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A、0.2～0.3VB、0.6～0.7VC、1.5～3VD、0.1～1V
硅二极管和导通电压约为（）.A、0.3VB、0.7VC、7VD、10V
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
发光二极管LED工作时，其正向导通电压约为（）A、0.2~0.3VB、0.6~0.7VC、0.7~1.2VD、1.4~2.8V
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
硅二极管的正向导通电压一般是（）V。A、1VB、0.7VC、2VD、7V
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
锗二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
硅二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
判断题锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）A对B错
单选题硅管的导通电压为（）A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V