二极管加正向电压时,这个电压只要大于死区电压,电流便很快增长,二极管导通,这时电阻很小,此为二极管的()。 A、稳压特性B、反向击穿C、反向特性D、正向特性
当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。A对B错
发光二极管和光电二极管在正常工作时，其两端应（）A、均加正向电压B、均加反向电压C、前者加正向电压，后者加反向电压D、与C向相反
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
锗二极管正向电压超过0.2伏左右，硅管超过0.5伏左右，正向电流很快上升。
在二极管两端加正向电压时，正向电流（），二极管处于（）状态。
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
二极管正向导通后，其正向电流与正向电压是线性关系。
硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和（）。
PM值温度计是利用（）随温度变化特性测温的。A、三极管互向电流B、二级管正向电压C、二极管正向电流D、三级管正向电压
反映二极管的电流与电压的关系曲线叫二极管的伏安特性曲线，有正向特性曲线和反向特性曲线之分。
发光二极管在正向电压（）某一值时，电流极小，不发光；当电压（）某一值后正向电流随电压迅速增加，发光。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管的基本特性是（），其反向电阻比正向电阻值（）。当二极管两端加正向电压时，其动态电阻随正向电流的增加而（）。
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
单选题稳压二极管是利用其工作在（）时电压变化极小的特性，使两端电压得到稳定的。A正向B反向C反向击穿D正向击穿
单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A正向电压B正向电流C正向电极D正向电路
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。