二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是正向电压小于PN结的死区电压 。 () 此题为判断题(对，错)。
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
晶体二极管具有()导电性、即加正向电压二极管(),加反向电压就()。
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少？
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
二极管具有单向导电性，加正向电压，二极管截止；加反向电压，二极管导通。
二极管具有单向导电性，加正向电压导通，反向电压截止。
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7伏才导通D、超过0.3伏才导通
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
二极管加上正向电压就导通，加上反向电压就截止的现象，称为二极管的（）。A、导电性B、截止性C、单向击穿性D、单向导电性
为什么二极管具有单向导电性？硅二极管和锗二极管的正向电压分别是多少伏？
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。