当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通

当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()

A、立即导通

B、到0.3V才开始导通

C.、超过死区电压时才开始导通

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半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
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硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
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在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
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当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
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二极管的折线模型中，硅二极管两端电压为（）V时，二极管才会导通。
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硅二极管正向导通时，其两端电压约为（）VA．0B．0.7C．0.2D．1.0
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当加在硅二极管两端正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（）。A．立即导通B．到0.3V才开始导通C．超过死区电压才开始导通D．不导通
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加在二极管上的正向电压大于死区电压时，二极管 ；加反向电压时，二极管 。
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锗 （硅）二极管的正向电压降大小的范围是
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