型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A、0.2～0.3VB、0.6～0.7VC、1.5～3VD、0.1～1V
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
发光二极管LED工作时，其正向导通电压约为（）A、0.2~0.3VB、0.6~0.7VC、0.7~1.2VD、1.4~2.8V
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
锗二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
发光二极管的正向压降为（）左右。A、0.2VB、0.7VC、2V
硅二极管的正向导通压降约为（）A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
硅二极管两端典型电压差为（）。A、0.2VB、0.7VC、0.3VD、0.8V
功率二极管的正向压降Ud约为（）。A、0.7VB、3VC、4VD、5V
红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
单选题型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A1VB0.2VC0.6V