硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏。A. 0.2，0.7B. 0.5，0.2C. 0.7， 1.0
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7，0.3B、0.3，0.7C、0.5，0.2D、0.2，0.5
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极（锗）管的死区电压为（）。A、0.1VB、0.2VC、0.3VD、0.5V
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？