可控硅导通以后,流过可控硅的电流决定于()。 A、外电路的负载B、可控硅的通态平均电流C、可控硅A～K之间的电压D、触发电压
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
二极管导通后硅管的导通电压一般取为（）V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
可控硅一旦导通，即使控制级的电压去掉，元件依然保持继续导通状态。
可控硅加上正电压，即阳极接正电压，阴极接负电压，可控硅可导通。
可控硅导通后，即使触发电压消失，由于自身正反馈作用，可控硅仍保持导通。
当在可控硅的控制极施加正电压时（）.A、导通；B、施加时导通，离开后截止；C、没有反映；D、正电压导通，负电压截止。
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
单向可控硅可靠导通后，降低控制极电流，可控硅将（）。A、仍然导通B、永远导通C、关断D、视阳、阴极电压极性而定
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
单选题可控硅电压调整器中，主硅和辅硅作用可叙述为（）A触发辅硅导通是为了关断主硅，主硅导通增加辅发的砺磁电流B主，辅硅同时导通增加励磁电流C辅硅导通可使辅发电压上升