导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。 A、击穿电压B、死区C、饱和D、夹断电压
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2B.0.4C.0.5D.0.7
当二极管处在正向电压作用下，管子两端正偏压很小（约1V左右）时便开始导通
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
在晶体二极管的两端加反向电压时，反向电阻很大，反向电流很小，基本上处于（）状态。A、导通B、截止C、放大
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。