当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管();加反向电压时,()截止 。
半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压()。
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。A、0﹒2B、0﹒7C、1D、0﹒4
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
当加在二极管两端的反向电压增高到超过某一值时，（）急剧增大，此现称为二极管的反向击穿。
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
当硅二极管加上0、3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、断路
硅二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时，则（）。A、二极管电流增大B、二极管过流损坏C、二极管击穿D、二极管电流基本不变
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（）A、正向电压大于PN结的死区电压B、正向电压等于零C、必须加反向电压
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。