型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为( )。 A、0.2 VB、0.7 VC、1 V
二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对，错)。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（）。A、1VB、0.2VC、0.6V
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3Ｖ，锗管0.5-0.7Ｖ。
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。A、0.6B、0.7C、0.8D、1.0
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
利用二极管（）的特性，可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
判断题二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V，锗管0.5-0.7V。A对B错