导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
硅二极管的正向导通电压是( )。A.0.3VB.0.6VC.1V
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。A对B错
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
发光二极管正常工作时的正向压降大约为（）A、0.2～0.3VB、0.6～0.7VC、1.5～3VD、0.1～1V
硅二极管和导通电压约为（）.A、0.3VB、0.7VC、7VD、10V
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
发光二极管LED工作时，其正向导通电压约为（）A、0.2~0.3VB、0.6~0.7VC、0.7~1.2VD、1.4~2.8V
在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
稳压二极管是利用（）情况下管子电流变化很大而电压基本不变的这一特性。A、反向导通B、正向导通C、大电流D、高电压
二极管具有单向导电性，加正向电压，二极管截止；加反向电压，二极管导通。
要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
锗二极管的正向导通电压是（）。A、0.3VB、0.7VC、1.2VD、2.2V
硅二极管的正向导通电压一般是（）V。A、1VB、0.7VC、2VD、7V
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
锗二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
硅材料电力二极管正向压降为（）A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V
硅二极管两端典型电压差为（）。A、0.2VB、0.7VC、0.3VD、0.8V
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
单选题硅管的导通电压为（）A为0.3VB为0.7VC约为0.7VD约为0.3V