沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
由于抗体过量导致抗原抗体结合物减少的现象为A．前带B．后带C．带现象D．等价带E．等电点
只形成可溶性的抗原抗体复合物 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
缺陷评价是指发现设备缺陷后，根据重要状态量的改变，结合(____)等数据对设备进行的状态评价带电检测、在线监测$; $红外检测、在线监测$; $红外检测、带电检测$; $带电检修、在线监测
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
采购业务环节关于进价带出来源及其相关说法正确的有（）A、供应商最新进价B、存货最新进价C、供应商协议进价D、对于进价带出来源的优先级别可自行设置
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
抗原过量时，称为（）A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、比例性
只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
配伍题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）|抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题重空穴指的是（）。A质量较大的原子形成的半导体产生的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋—轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
单选题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A后带B前带C高带D等价带E不等价带
单选题抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带