关于能带描述正确的是() A、满带指能带已经充满电子B、禁带是指电子不能存在的区域C、能带的电子充填情况等同于原子能级D、能带中能级的密度随能量增加而增加
抗原抗体反应中，抗原过量时的沉淀反应称为A、等价带B、带现象C、前带D、后带E、以上均不是
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。（）
A.后带B.等价带C.前带D.前带或后带E.前带和等价带抗体过剩时称为
A.后带B.等价带C.前带D.前带或后带E.前带和等价带只形成可溶性的抗原抗体复合物
由于抗体过量导致抗原抗体结合物减少的现象为A.前带B.后带C.带现象D.等价带E.等电点
沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.以上都不是
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中B.导带中C.禁带中，但接近满带顶D.禁带中，但接近导带底
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
与绝缘体相比较，半导体能带结构的特点是（）。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴，导带中总是有电子D、禁带宽度较窄
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A电子为多子B空穴为少子C能带图中施主能级靠近于导带底D能带图中受主能级靠近于价带顶
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A后带B前带C高带D等价带E不等价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
配伍题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）|抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带