在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
沉淀反应中抗原过量的现象称为( )A.后带B.前带C.高带D.等价带E.不等价带
抗原抗体特异性反应时，若抗原或抗体极度过剩则无沉淀形成，叫做A、前带B、后带C、带现象D、等价带E、拖尾
非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带
抗原抗体反应，抗体过量时称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带抗原抗体反应，抗原过量时称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带抗原抗体反应，抗原抗体最佳比例范围称为A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和后带E.等价带请帮忙给出每个问题的正确答案和分析，谢谢！
只形成可溶性的抗原抗体复合物 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
抗体过剩时称为 A.前带B.后带C.前带或后带D.前带和等价带E.等价带
若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()
下列不是能带的是（）.A、价带B、电带C、导带D、禁带
沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A、后带B、前带C、高带D、等价带E、不等价带
抗体过剩时称为（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
抗体过量时，称为（）A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、比例性
抗原过量时，称为（）A、带现象B、等价带C、前带D、后带E、比例性
为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A、前带B、后带C、前带或后带D、前带和等价带E、等价带
单选题抗原抗体特异性反应时，若抗原或抗体极度过剩则无沉淀形成，叫做（）A前带B后带C带现象D等价带E拖尾
单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
配伍题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）|抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题半导体（）电子吸收光子能量跃迁入（），产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A价带，导带B价带，禁带C禁带，导带D导带，价带
单选题只形成可溶性的抗原抗体复合物（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带
单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A禁带B满带C导带D价带
单选题沉淀反应中抗原过量的现象称为（）A后带B前带C高带D等价带E不等价带
单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A禁带B价带C导带D满带
单选题抗体过剩时称为（）A前带B后带C前带或后带D前带和等价带E等价带