在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流
P型半导体中,电子数与空穴数相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中,电子数目与空穴数目相比()。 A、电子数多于空穴数B、电子数少于空穴数C、电子数等于空穴数D、电子数与空穴数之比为2:3
在N型半导体中()。 A、只有自由电子B、只有空穴C、有空穴也有电子D、没有空穴也没有自由电子
半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
电力晶体管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
电力晶闸管GTR内部电流是由（）形成的。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、有电子但无空穴
单位功率重量指的是机车（）。A、轴重B、轮重C、电机重量D、总重
在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
本征半导体温度升高后，自由电子和空穴的变化情况是（）。A、自由电子数目增加，空穴数目不变B、空穴数目增多，自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
半导体中的载流子为（）。A、电子B、空穴C、正离子D、电子和空穴
当环境温度升高时，本征半导体中（） A、自由电子的数量增加，而空穴的数量基本不变B、自由电子的数量基本不变，而空穴的数量增加C、自由电子和空穴的数量都增加D、自由电子和空穴的数量都减少E、自由电子和空穴的数量都不变
本征半导体载流子（）A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等
温度升高后，在纯净的半导体中（）A、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B、空穴增多，自由电子数目不变C、自由电子增多，空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变
本征半导体温度升高后（）。A、自由电子数目增多，空穴数目基本不变B、空穴数目增多，自由电子数目基本不变C、自由电子和空穴数目都增多，且增量相同D、自由电子和空穴数目不变
本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
单选题空穴导电的实质是：相邻原子中的价电子（共价键中的束缚电子）依次填补空穴而形成电流，空穴的运动方向与电子的运动方向（），因此认为空穴带正电。A相同B相反C有时相同D有时相反
单选题在非线性元件的伏安特性研究中，N型半导体和P型半导体中，多数载流子分别是（）A电子、空穴B空穴、电子C电子、电子D空穴、空穴
单选题P型半导体中，主要依靠（）导电，（）是少数载流子。A空穴；空穴B空穴；自由电子C自由电子；空穴D自由电子；自由电子