判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

判断题
最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
A

B


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在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

名词解释题光刻胶

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名词解释题正光刻胶

填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

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问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

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多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀

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