问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

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PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻,每次光刻目的是什么?

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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?

pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。A、扩散层质量B、设计C、光刻

什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

简述光刻工艺流程。

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。

光刻和刻蚀的目的是什么?

在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻

问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

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填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路,需要()、()、()、()、()、()等六次光刻。

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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错

问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?

填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。

填空题光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。

判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A对B错

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