单选题单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为:()A近场干扰B材质衰减C盲区D折射

单选题
单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为:()
A

近场干扰

B

材质衰减

C

盲区

D

折射


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轴类锻件最主要探测方向是:()A、轴向直探头探伤B、径向直探头探伤C、斜探头外圆面轴向探伤D、斜探头外圆面周向探伤

单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、折射

与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是()A、单斜探头法B、单直探头法C、双斜探头前后串列法D、分割式双直探头法

用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用()探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法

筒形锻件最主要探测方向是:()A、直探头端面和外圆面探伤B、直探头外圆面轴向探伤C、斜探头外圆面轴向探伤D、以上都是

单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A、近场干扰B、衰减C、盲区D、折射

单晶片探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为盲区。

单晶片直探头接触法探伤中,与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为()。A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、选择范围

直探头接触法探伤时,发现缺陷回波较低,且底面回波降低或消失的原因是与工件表面呈()。

接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A、联合双探头B、普通直探头C、表面波探头D、横波斜探头

接触法超声波探伤,探测距离较大时,为获得较为集中的能量,应选用()直径晶片的探头。

用直探头直接接触于钢板,对厚度方向进行超声波垂直法探伤,它最易检出的是()。A、最大表面与轧制面平行的分层缺陷B、最大表面与轧制面垂直的横向缺陷C、最大表面与轧制面倾斜的缺陷D、与探测面倾斜20°的缺陷

接触法超声波探伤,探测近距离(或小直径)工件时,为获得较大声场范围,可选用()直径晶片的探头。

超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是:()A、润滑接触面尽量减少探头磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面直接接触时就不会振动D、使探头可靠地接地

用直探头对轴类锻件探伤时可分为径向和轴向探测。前者有利于发现轴类锻件常见的()缺陷,后者有利于检出()缺陷。

探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为()。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法

在直接接触法直探头探伤时,底波消失的原因是()。A、耦合不良B、存在与声束不垂直的平面缺陷C、耦合太好D、存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷

超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是()。A、润滑接触面,尽量减小探头的磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面接触时就不会产生振动D、使探头可靠的接触

单选题接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A联合双探头B普通直探头C表面波探头D横波斜探头

填空题接触法超声波探伤,探测距离较大时,为获得较为集中的能量,应选用()直径晶片的探头。

单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为()。A斜射法B水浸法C接触法D穿透法

单选题单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A近场干扰B衰减C盲区D折射

单选题轴类锻件最主要探测方向是:()A轴向直探头探伤B径向直探头探伤C斜探头外圆面轴向探伤D斜探头外圆面周向探伤

单选题用直探头直接接触于钢板,对厚度方向进行超声波垂直法探伤,它最易检出的是()。A最大表面与轧制面平行的分层缺陷B最大表面与轧制面垂直的横向缺陷C最大表面与轧制面倾斜的缺陷D与探测面倾斜20°的缺陷

单选题与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是:()A单斜探头法B单直探头法C双斜探头前后串列法D分割式双直探头法

填空题接触法超声波探伤,探测近距离(或小直径)工件时,为获得较大声场范围,可选用()直径晶片的探头。

单选题分割式探头主要用来()。A探测离探伤面远的缺陷B探测离探伤面近的缺陷C探测与探伤面平行的缺陷