超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是()。 A、润滑接触面，尽量减少探头的磨损;B、排除探头与探测面间的空气;C、晶片与探测面直接接触时就不会产生振动;D、使探头可靠地接触;
轴类锻件最主要探测方向是：（）A、轴向直探头探伤B、径向直探头探伤C、斜探头外圆面轴向探伤D、斜探头外圆面周向探伤
与探测面垂直的内部平滑缺陷，最有效的探测方法是（）A、单斜探头法B、单直探头法C、双斜探头前后串列法D、分割式双直探头法
用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用（）探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法
筒形锻件最主要探测方向是：（）A、直探头端面和外圆面探伤B、直探头外圆面轴向探伤C、斜探头外圆面轴向探伤D、以上都是
单晶直探头接触法检测中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）。A、近场干扰B、衰减C、盲区D、折射
单晶片探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为盲区。
单晶片直探头接触法探伤中，与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为（）。A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、选择范围
直探头接触法探伤时，发现缺陷回波较低，且底面回波降低或消失的原因是与工件表面呈（）。
接近探测面并与其平行的缺陷，用下列哪种探头检出效果最佳：（）A、联合双探头B、普通直探头C、表面波探头D、横波斜探头
接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
斜探头通常是经过（）来实现横波探伤的。主要用于探测与探测面（）或（）的缺陷。
接触法超声波探伤，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径晶片的探头。
超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是：（）A、润滑接触面尽量减少探头磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面直接接触时就不会振动D、使探头可靠地接地
探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法
在直接接触法直探头探伤时，底波消失的原因是（）。A、耦合不良B、存在与声束不垂直的平面缺陷C、耦合太好D、存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷
超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是（）。A、润滑接触面，尽量减小探头的磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面接触时就不会产生振动D、使探头可靠的接触
填空题接触法超声波探伤，探测距离较大时，为获得较为集中的能量，应选用（）直径晶片的探头。
单选题筒形锻件最主要探测方向是：（）A直探头端面和外圆面探伤B直探头外圆面轴向探伤C斜探头外圆面轴向探伤D以上都是
单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法，称为（）。A斜射法B水浸法C接触法D穿透法
单选题单晶直探头接触法检测中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为（）。A近场干扰B衰减C盲区D折射
单选题轴类锻件最主要探测方向是：（）A轴向直探头探伤B径向直探头探伤C斜探头外圆面轴向探伤D斜探头外圆面周向探伤
单选题单晶片直探头接触法探伤中，与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出，这是因为：（）A近场干扰B材质衰减C盲区D折射
单选题与探测面垂直的内部平滑缺陷，最有效的探测方法是：（）A单斜探头法B单直探头法C双斜探头前后串列法D分割式双直探头法
单选题超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是：（）A润滑接触面尽量减少探头磨损B排除探头与探测面间的空气C晶片与探测面直接接触时就不会振动D使探头可靠地接地
填空题接触法超声波探伤，探测近距离（或小直径）工件时，为获得较大声场范围，可选用（）直径晶片的探头。
单选题分割式探头主要用来（）。A探测离探伤面远的缺陷B探测离探伤面近的缺陷C探测与探伤面平行的缺陷