单选题单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A近场干扰B衰减C盲区D折射

单选题
单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。
A

近场干扰

B

衰减

C

盲区

D

折射


参考解析

解析: 暂无解析

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焊缝用串列探头进行扫查,主要用于检测()A.平行于探测面的缺陷B.与探测面倾斜的缺陷C.垂直于探测面的缺陷D.不能用斜探头检测的缺陷

靠近探头的缺陷不一定都能探测到,因为有()A.声束扩散B.材质衰减C.仪器阻塞效应D.折射

焊缝用串列探头进行扫查,主要用于检测()A、平行于探测面的缺陷B、与探测面倾斜的缺陷C、垂直于探测面的缺陷D、不能用斜探头检测的缺陷

下面关于各种探头作用的说法,哪一条是错误的?()A、纵波直探头用于检测与检测面垂直的缺陷B、横波斜探头用于检测与检测面倾斜的缺陷C、表面波探头用于检测表面和近表面缺陷D、兰姆波探头用于检测薄板中的缺陷

单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、折射

靠近探头的缺陷不一定都能探测到,因为有()A、声束扩散B、材质衰减C、仪器阻塞效应D、折射

在直接接触法直探头探伤时,底波消失的原因可能有()A、耦合不良B、存在与声束不垂直的平面缺陷C、存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷D、工件材料衰减过大

为检测出焊缝中与检测面成不同角度的缺陷,一般宜采取的方法是()。A、 采用不同折射角度的探头B、 提高探测频率C、 修磨探测面宽度D、 改善探测面粗糙度

下述无损检测中,能够检测锻件折叠缺陷的方法是()A、UT直探头直接接触法B、UT斜直探头直接接触法C、MT线圈磁化法D、MT磁轭磁化法

单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A、近场干扰B、衰减C、盲区D、折射

近探测面的缺陷不是总能检出来,因为()A、近场效应B、衰减C、检测系统的回复时间D、折射

单晶片探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为盲区。

单晶片直探头接触法探伤中,与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为()。A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、选择范围

直探头的近场区成为不可探测区,需用双芯片直探头进行探测。

接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A、联合双探头B、普通直探头C、表面波探头D、横波斜探头

多选题在直接接触法直探头探伤时,底波消失的原因可能有()A耦合不良B存在与声束不垂直的平面缺陷C存在与始脉冲不能分开的近表面缺陷D工件材料衰减过大

单选题靠近探头的长条形缺陷并不一定都能探测到,因为()A声束扩散B材质衰减C仪器阻塞效应D折射

单选题单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A近场干扰B衰减C盲区D折射

单选题超声波检测中避免在近场区定量的原因是()。A 近场区的回波声压很高,定量不准确B 在近场区检测时,由于探头存在盲区,易形成漏检C 在近场区检测时,处于声压极小值处较大缺陷回波可能较低;处于声压极大值处的较小缺陷可能回波较高,容易出现误判D 以上都对

单选题近探测面的缺陷不是总能检出来,因为()A近场效应B衰减C检测系统的回复时间D折射

单选题单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()A近场干扰B材质衰减C盲区D折射

单选题下述无损检测中,能够检测锻件折叠缺陷的方法是()AUT直探头直接接触法BUT斜直探头直接接触法CMT线圈磁化法DMT磁轭磁化法

单选题为检测出焊缝中与检测面成不同角度的缺陷,一般宜采取的方法是()。A 采用不同折射角度的探头B 提高探测频率C 修磨探测面宽度D 改善探测面粗糙度

单选题与探测面垂直的内部平滑缺陷,最有效的探测方法是:()A单斜探头法B单直探头法C双斜探头前后串列法D分割式双直探头法

单选题焊缝用串列探头进行扫查,主要用于检测()A平行于探测面的缺陷B与探测面倾斜的缺陷C垂直于探测面的缺陷D不能用斜探头检测的缺陷

单选题靠近探头的缺陷不一定都能探测到,因为有()A声束扩散B材质衰减C仪器阻塞效应D折射

单选题下面关于各种探头作用的说法,哪一条是错误的?()A纵波直探头用于检测与检测面垂直的缺陷B横波斜探头用于检测与检测面倾斜的缺陷C表面波探头用于检测表面和近表面缺陷D兰姆波探头用于检测薄板中的缺陷

单选题接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A联合双探头B普通直探头C表面波探头D横波斜探头