单晶片探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为盲区。

单晶片探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为盲区。


相关考题:

超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是()。 A、润滑接触面,尽量减少探头的磨损;B、排除探头与探测面间的空气;C、晶片与探测面直接接触时就不会产生振动;D、使探头可靠地接触;

探测出焊缝中与表面成不同角度的缺陷,应采用的方法是()A、提高探测频率B、用多种角度探头探测C、修磨探伤面D、以上都可以

单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、折射

一般来说,下面哪种技术不适用于小直径棒材探伤()A、接触法横波单探头B、水浸法聚焦探头C、接触法纵波单探头D、接触法联合双探头

用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用()探伤A、纵波接触法B、水浸探伤法C、横波接触法D、表面波接触法

厚钢板内部与探测面呈45°倾斜的平滑片状缺陷,最有效的探伤方法是()A、单探头纵波法B、单探头横波法C、双斜探头前后串列法

单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A、近场干扰B、衰减C、盲区D、折射

单晶片直探头接触法探伤中,与接触面十分接近的缺陷往往不能有效地检出这是因为()。A、近场干扰B、材质衰减C、盲区D、选择范围

探头晶片与缺陷表面不平行的超声波探伤法,称为斜射法。

接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A、联合双探头B、普通直探头C、表面波探头D、横波斜探头

接触法超声波探伤,探测距离较大时,为获得较为集中的能量,应选用()直径晶片的探头。

斜探头通常是经过()来实现横波探伤的。主要用于探测与探测面()或()的缺陷。

用直探头直接接触于钢板,对厚度方向进行超声波垂直法探伤,它最易检出的是()。A、最大表面与轧制面平行的分层缺陷B、最大表面与轧制面垂直的横向缺陷C、最大表面与轧制面倾斜的缺陷D、与探测面倾斜20°的缺陷

接触法超声波探伤,探测近距离(或小直径)工件时,为获得较大声场范围,可选用()直径晶片的探头。

超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是:()A、润滑接触面尽量减少探头磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面直接接触时就不会振动D、使探头可靠地接地

探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为()。A、斜射法B、水浸法C、接触法D、穿透法

超声波探伤时施加耦合剂的主要原因是()。A、润滑接触面,尽量减小探头的磨损B、排除探头与探测面间的空气C、晶片与探测面接触时就不会产生振动D、使探头可靠的接触

单选题用25兆赫硫酸锂晶片制的探头最适宜采用()探伤A纵波接触法B水浸探伤法C横波接触法D表面波接触法

单选题接近探测面并与其平行的缺陷,用下列哪种探头检出效果最佳:()A联合双探头B普通直探头C表面波探头D横波斜探头

填空题接触法超声波探伤,探测距离较大时,为获得较为集中的能量,应选用()直径晶片的探头。

填空题斜探头通常是经过()来实现横波探伤的。主要用于探测与探测面()或()的缺陷。

单选题探头晶片与试件探测面不平行的超声波探伤法,称为()。A斜射法B水浸法C接触法D穿透法

单选题单晶直探头接触法检测中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为()。A近场干扰B衰减C盲区D折射

单选题单晶片直探头接触法探伤中,与探测面十分接近的缺陷往往不能有效地检出,这是因为:()A近场干扰B材质衰减C盲区D折射

单选题超声波探伤时施加耦合剂的主要目的是:()A润滑接触面尽量减少探头磨损B排除探头与探测面间的空气C晶片与探测面直接接触时就不会振动D使探头可靠地接地

填空题接触法超声波探伤,探测近距离(或小直径)工件时,为获得较大声场范围,可选用()直径晶片的探头。

单选题分割式探头主要用来()。A探测离探伤面远的缺陷B探测离探伤面近的缺陷C探测与探伤面平行的缺陷