关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CDe充放电对发射效率g的影响,下列说法中正确的是A．CTe和CDe对g 都有显著影响B．CTe和CDe对g 都几乎无影响C．CTe对g 有显著影响,CDe对g 几乎无影响D．CTe对g 几乎无影响,CDe对g有显著影响。

关于发射结势垒电容CTe和扩散电容CDe充放电对发射效率g的影响,下列说法中正确的是

A．CTe和CDe对g 都有显著影响

B．CTe和CDe对g 都几乎无影响

C．CTe对g 有显著影响,CDe对g 几乎无影响

D．CTe对g 几乎无影响,CDe对g有显著影响。

参考答案和解析
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晶体三极管工作于放大区的条件是()。 A、集电结和发射结都反偏B、集电结反偏、发射结正偏C、集电结和发射结都正偏D、集电结正偏、发射结反偏
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下列选项中,关于CDE的说法不正确的是()。 A、CDE即公共数据环境B、CDE是中心信息库C、CDE的所有权有投资方持有D、所有项目相关者都可以访问CDE
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光敏三极管受光照控制的pn结是()。 A.集电结或发射结B.集电结C.集电结和发射结D.发射结
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对图所示的固定偏置电路，以下说法正确的是（　　）。A．发射结正偏，集电结反偏，电路对正弦交流信号有放大作用B．发射结反偏，集电结正偏，电路没有放大作用C．发射结、集电结均处正偏，电路没有放大作用D．发射结、集电结均处反偏，电路没有放大作用
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下列选项中，关于CDE的说法不正确的是()。A.CDE即公共数据环境B.CDE是中心信息库C.CDE的所有权由投资方持有D.所有项目相关者都可以访问CDE
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电容器充放电时，电容器两端的（）不能突变。A、电压B、电流C、电阻D、电动势
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三极管饱和区的放大条件为（）。A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏或零偏，集电结反偏C、发射结和集电结正偏D、发射结和集电结反偏
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下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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RC串联电路中，电容器充放电时，影响充放电时间的因素是（）和（）的大小。
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RC串联电路中，电容器充放电时，影响充放电时间的因素是电阻（R）和电容（C）的大小。
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RC串联电路，电容充放电时，影响充放电的时间因素是（）和（）的大小。
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影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。A、耦合电容B、管子内部结电容C、偏置电阻D、发射结电阻
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晶体管处于截止状态时，发射结和集电结的偏置情况是（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结反偏C、发射结、集电结均上偏D、发射结正、集电结反偏
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变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
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晶体管处于饱和状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）A、发射结反偏，集电结正偏B、发射结、集电结均反偏C、发射结、集电结均正偏D、发射结正偏、集电结反偏
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三极管放大的外部偏置条件是（）。A、发射结和集电结均正偏B、发射结和集电结均反偏C、发射结正偏、集电结反偏
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当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
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单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
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名词解释题势垒电容（结电容）
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填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。
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判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
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填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。
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填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
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判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错
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单选题晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的偏置情况为（）。A发射结反偏，集电结正偏B发射结、集电结均反偏C发射结、集电结均正偏D发射结正偏，集电结反偏
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单选题对于光电发射效应，下列说法不正确的是（）A光电发射效应，又称外光电效应B金属光电发射量子效率都很低，且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C半导体光电发射的量子效率远高于金属：光电发射的过程是体积效应，表面能带弯曲降低了电子逸出功，特别是负电子亲和势材料（NEA）D良好的光电发射体，应该具备的基本条件之一是表面势垒高
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填空题扩散电容反映的是 PN 结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。
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名词解释题扩散电容
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