就PN结的结电容大小进行比较,正向偏置时比反向偏置时的结电容();就PN结的结电容对性能影响,正向偏置时比反向偏置时的影响()。 A、多B、少C、大D、小
微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小，当势垒为零时，微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对，错)。
集成电路中的电容是用PN结电容，大于100PF的电容也可制造。
面接触型二极管，可以通过（）电流，由于结电容（）不适用高频电路。
微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A、结电容随反向电压线性变化B、结电容随着反向电压向负方向增大而减小C、反向电压变化不影响结电容变化
在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D、视具体情况而定，以上三种均可能。
变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
影响放大电路低频区域频率特性的主要元件是（）。A、耦合电容B、管子内部结电容C、偏置电阻D、发射结电阻
变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
由于中放管结电容的存在，中频放大器输出阻抗与（）有关。
影响放大器下限频率fL的因素是（）。A、晶体管β值B、晶体管α值C、PN结电容D、耦合电容
当加在变容二极管上的负偏压向负的方向增大时，它的结电容（）当负偏绝对值减小时，结电容（）
点接触型二极管的特点是（）。A、结电容大，不适用高频B、因结面积小，不适用高频C、结电容小，可用于高频
单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比，增加了三个元件，它们是（）、（发射结势垒电容）和（）。
判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
单选题微波电路中所使用的变容二极管主要特性是（）。A结电容随反向电压线性变化B结电容随着反向电压向负方向增大而减小C反向电压变化不影响结电容变化
判断题器件电容决定MOS晶体管的动态特性，门电容和源漏结电容是主要的确定因素。A对B错
填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。
填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错