判断题pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。A对B错

判断题
pn结反向偏置时,外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的,加强了势垒区的电场。导致势垒降低,势垒区宽度变小。
A

B


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相关考题:

在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。

微粒的物理稳定性取决于总势能曲线上势垒大小,当势垒为零时,微粒会发生聚结。( )此题为判断题(对,错)。

PN结反向偏置时,外加电压削弱了内电场。() 此题为判断题(对,错)。

电动势和电压相比,()A、电动势和电压都是用来衡量电场力做功本领的大小B、电动势和电压都是用来衡量电源力做功本领的大小C、电动势用来衡量电源力做功本领的大小,电压用来衡量电场力做功本领的大小D、电动势用来衡量电场力做功本领的大小,电压用来衡量电源力做功本领的大小

在成核-生长机制的液-固相变过程中,其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较,有如下关系()。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒=均匀成核势垒D、视具体情况而定,以上三种均可能。

调幅分解又称()分解、或()分解、或()分解。()分解没有形核势垒,是无核相变,通过上坡扩散,最后形成稳定的两相结构。

变容二极管是一种利用pn结电容(或接触势垒电容)与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管,其反偏电压愈大,结电容愈大。()

变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的,应工作在()状态。

当PN结反向工作时,其结电容主要是()A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存

PN结反向偏置时,PN结的内电场()。PN具有()特性。

引起动生电动势的非静电力是(),引起感生电动势的是()力,感应电场是由()产生的,它的电场线是()。

关于感生电场,下列说法正确的是()。A、感生电场产生的原因是变化的磁场B、产生感生电动势的非静电力是洛仑兹力C、感生电场产生的原因是变化的电场D、产生感生电动势的非静电力是化学力

产生动生电动势的非静电场力是(),产生感生电动势的非静电场力是(),激发感生电场的场源是()。

PN结正向导电时,外电场和内电场的方向()A、相同B、相反C、外电场加强了内电场

单选题根据量子力学,当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时,下列哪种情况会发生?()A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中

名词解释题势垒电容(结电容)

填空题晶体管的高频小信号等效电路与直流小信号等效电路相比,增加了三个元件,它们是()、(发射结势垒电容)和()。

填空题PN结的掺杂浓度越高,则势垒区的长度就越(),内建电场的最大值就越(),内建电势Vbi就越(),反向饱和电流I0就越(),势垒电容CT就越(),雪崩击穿电压就越()。

判断题pn结平衡时,势垒区(即空间电荷区)内电子(或空穴)的扩散和漂移相抵消,整个pn结出现统一的费米能级。A对B错

填空题当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和()之和。

填空题在N型材料的PN结光伏效应中,光生电动势与内建电场的方向()。

填空题势垒电容反映的是PN结的()电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高,则势垒电容就越();外加反向电压越高,则势垒电容就越()。

填空题当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会(),势垒区的势垒高度会()。

判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关,当势垒加宽或变高时,势垒贯穿概率变小。A对B错

名词解释题隧道势垒

单选题pn结正向偏置时,外加电场削弱势垒区内自建电场,因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入,形成正向()A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流