单选题对于光电发射效应,下列说法不正确的是()A光电发射效应,又称外光电效应B金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区C半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA)D良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高

单选题
对于光电发射效应,下列说法不正确的是()
A

光电发射效应,又称外光电效应

B

金属光电发射量子效率都很低,且大多数金属的光谱响应都在紫外或远紫外区

C

半导体光电发射的量子效率远高于金属:光电发射的过程是体积效应,表面能带弯曲降低了电子逸出功,特别是负电子亲和势材料(NEA)

D

良好的光电发射体,应该具备的基本条件之一是表面势垒高


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

在低能时光电效应是丫射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是A、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B、入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C、入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D、入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E、入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

光电倍增管的工作原理()。 A、内光电效应B、外光电效应C、光热效应D、光生电子二次发射

在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于( )。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电发射D. 光导效应

光电管是利用物质在光的照射下发射电子的()而制成的光电器件。 A. 外光电效应B. 内光电效应C. 光电导效应D. 光生伏特效应

在光电倍增管中,产生光电效应的是() A、阴极B、阳极C、二次发射级D、玻璃窗

光电效应是指光束照射物体时,会使其发射出电子的物理效应。

光电效应的特征是()。A、产生光电子B、发射标识X射线C、发射二次电子D、以上都是

在光线作用下,半导体电导率改变的现象属于().A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光生伏特效应

在光线作用下,电子从物体表面逸出的物理现象,称为外光电效应,也称光电发射效应。

下列对光电效应的叙述中,哪些是正确的()A、光电效应发生的概率随光子的能量增大而减小B、光电效应发生的概率随材料的原子序数增大而增大C、光电效应过程除产生光电子外,有时还会产生反冲电子D、光电效应发射出的电子能量肯定小于入射光子的能量E、光电效应作用对象为轨道电子

声波测井的发射探头产生声波的过程是()。A、逆压电效应B、正压电效应C、光电转换D、震电效应

在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。A、外光电效应B、内光电效应C、光电发射D、光导效应

在光照射下,电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应,也称为光电发射效应。

光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。

判断题在光线作用下,电子从物体表面逸出的物理现象,称为外光电效应,也称光电发射效应。A对B错

单选题()是半导体光电子材料中发生的一种外光电效应。A光电导B光生伏特效应C光电子发射

多选题对光电效应的研究结果,下列叙述中正确的是()A入射光的频率必须大于极限频率时才能产生光电效应B光电子的发射几乎是瞬时的C产生光电效应时,光电流强度与入射光强度成正比D光电子的最大初动能与入射光的频率成正比

填空题能够产生光电发射效应的物体称为()。

问答题什么是光电发射效应?

单选题在低能时光电效应是γ射线与物质相互作用的最主要形式,下列说法正确的是()A入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正前方(0°)发射B入射γ光子能量很低时,光电子向入射γ光子的正后方(180°)发射C入射γ光子能量很低时,光电子在垂直于入射γ光子方向上发生D入射γ光子能量增加时,光电子逐渐向后角发射E入射γ光子能量减少时,光电子逐渐向前角发射

单选题光照到某些金属或半导体材料上,若入射的光子能量足够大,致使电子从材料中逸出,称为()效应。A光电导效应;B光生伏特效应;C内光电效应;D光电发射。

单选题光电子发射探测器是基于()的光电探测器。A内光电效应B外光电效应C光生伏特效应D光热效应

单选题光电效应的特征是()。A产生光电子B发射标识X射线C发射二次电子D以上都是

单选题光敏电阻是()器件,属于()A光电导器件,外光电效应B光电发射器件,外光电效应C光生伏特器件,内光电效应D光电导器件,内光电效应

名词解释题光电发射效应

单选题在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()。A外光电效应B内光电效应C光电发射D光导效应

单选题在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于()A外光电效应B光电发射C内光电效应D光生伏特效应