填空题势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

填空题
势垒电容反映的是PN结的（）电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（）。

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在PN结上施加电压时,多数()中一部分可以越过势垒而进入导电,若PN结加反向电压,则电路中几不流过电流,当电流高到某一数值时,电流就突然增大,称这种现象为(),这可以用电子的()及齐纳效应来说明。
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若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
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当外加电压为零时,PN结的结电容最小。() 此题为判断题(对，错)。
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当外加反向电压增加时,PN结的结电容减小。() 此题为判断题(对，错)。
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PN结外加正向电压，电流值与外加电压的大小有（）关系。A、随外加电压的增加，正向电流减小B、随外加电压的增加，正向电流增大C、随外加电压的减小，正向电流不变D、随外加电压的减小，正向电流增加
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在成核－生长机制的液－固相变过程中，其成核过程有非均匀成核与均匀成核之分。将非均匀成核与均匀成核过程的成核势垒相比较，有如下关系（）。A、非均匀成核势垒≥均匀成核势垒B、非均匀成核势垒≤均匀成核势垒C、非均匀成核势垒＝均匀成核势垒D、视具体情况而定，以上三种均可能。
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半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
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变容二极管是一种利用pn结电容（或接触势垒电容）与其反向偏置电压vr的依赖关系及原理制成的二极管，其反偏电压愈大，结电容愈大。（）
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外加反向电压，PN结中的耗尽层宽度将变宽。
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把PN结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做（）特性。
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PN结外加正向电压时其空间电荷区宽度将（），PN结中（）电流占优势。
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变容二极管是利用PN结的势垒电容而制成的，应工作在（）状态。
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当PN结反向工作时，其结电容主要是（）A、势垒电容B、扩散电容C、平面电容D、势垒和扩散电容并存
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单选题根据量子力学，当自由运动的电子被高过其本身能量的势垒散射时，下列哪种情况会发生？（）A电子有较小的概率穿过该势垒B电子一定会被势垒弹回C电子一定会穿过势垒D电子会被束缚在势垒中
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名词解释题势垒电容（结电容）
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判断题pn结反向偏置时，外加电压在势垒区产生的电场和自建电场的方向是一致的，加强了势垒区的电场。导致势垒降低，势垒区宽度变小。A对B错
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填空题PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势Vbi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容CT就越（），雪崩击穿电压就越（）。
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判断题pn结平衡时，势垒区（即空间电荷区）内电子（或空穴）的扩散和漂移相抵消，整个pn结出现统一的费米能级。A对B错
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填空题当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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填空题PN结的掺杂浓度越高，雪崩击穿电压越（）；结深越浅，雪崩击穿电压就越（）。
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填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
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填空题PN结总的电容应该包括势垒电容和（）之和。
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填空题当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。
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判断题微观粒子贯穿势垒的概率与势垒的宽度和高度有关，当势垒加宽或变高时，势垒贯穿概率变小。A对B错
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填空题扩散电容反映的是 PN 结的（）电荷随外加电压的变化率。正向电流越大，则扩散电容就越（）；少子寿命越长，则扩散电容就越（）。
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填空题半导体中PN结的最主要特征是（），即外加正向电压时，呈（），外加反向电压时，呈（）。
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单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A复合电流B漂移电流C扩散电流D漏电流
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