简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀