简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺？光刻的三个要素是什么？
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀