简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。

简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。


相关考题:

简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)所用的半导体材料中,目前使用最广泛、发展最成熟的是()。A、非晶硅B、单晶硅C、多晶硅

简述光刻工艺流程。

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。

简述低温多晶硅技术的挑战。

简述4次光刻的工艺流程。

简述低温多晶硅薄膜晶体管组成的CMOS驱动电路的优点。

简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。

简述MOSFET与薄膜晶体管工作原理上的不同。

简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。

简述氧化物薄膜晶体管的特点。

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

简述有机薄膜晶体管的特点。

简述A2/O工艺流程及特点。

单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。A、氮化硅B、二氧化硅C、光刻胶D、多晶硅

铸造技术为何能提高多晶硅纯度;制备铸造多晶硅的工艺流程;描述直培法工艺;影响直培法制备柱形多晶硅的因素。

简述光盘制作的光刻。

问答题简述光刻胶的成分特征。

问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

问答题简述光刻的工艺过程。

问答题简述光刻的主要参数

问答题简述正性光刻和负性光刻的概念?优缺点?

问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。

问答题简述光刻的目的?

问答题什么是光刻加工技术?试简述光刻加工的原理和工艺流程。