简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
按照零件加工的每一道工序编制的工艺文件称为（）A、工艺过程卡片B、工艺卡片C、工序卡片D、工艺守则
浸漆是（）A、浸漆工艺的第1道工序B、浸漆工艺的第2道工序C、浸漆工艺的第3道工序D、浸漆的最佳温度是130±5℃
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
问答题PN结隔离的双极集成电路工艺需要几次光刻，每次光刻目的是什么？
单选题按照零件加工的每一道工序编制的工艺文件称为（）A工艺过程卡片B工艺卡片C工序卡片D工艺守则
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀