填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

填空题
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。A、树脂B、感光剂C、HMDSD、溶剂E、PMMA
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解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
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解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
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例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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问答题什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？
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填空题光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
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问答题给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
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问答题什么是正光刻胶，负光刻胶？
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问答题什么是负光刻胶？
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问答题解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
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判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。A对B错
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填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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问答题负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
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问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么？
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问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
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判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A对B错
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问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？
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问答题列出并描述两种主要的光刻胶。
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问答题根据成像结果的不同，光刻胶可分为哪两种类型，其中哪种成本较低且应用较早？
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判断题光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。A对B错
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判断题对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。A对B错
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多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
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