以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）
问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。
问答题解释为什么目前CMOS工艺中常采用多晶硅栅工艺，而不采用铝栅工艺？
问答题以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？
问答题以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺存在哪些缺点？
问答题以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺有哪些优缺点？
问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
问答题以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。
问答题简述接触式光刻、接近式光刻及投影式光刻的优缺点。
单选题NMOS是在（）阱形成的（）沟道的MOSFET晶体管。AP阱，P沟BP阱、N沟CN阱、N沟DN阱、P沟
问答题什么是光刻加工技术？试简述光刻加工的原理和工艺流程。