光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。

相关考题：

照相制版主要的工艺过程包括:() A.原图B.照相C.涂覆D.曝光E.显影F.固膜G.腐蚀
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冲版烘干后再行曝光是（）A、使图纹更为清晰B、不可多于标准时间C、坚膜D、必然步骤
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对发现的各类违章，都要按教育、曝光、处罚、整改四个步骤进行处理。
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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）A、刻制图形B、绘制图形C、制作图形
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光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
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光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
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试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
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光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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涂层板、压花板或层压（贴膜）板，在机组工艺段预处理阶段，都要经过（）工序。
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凉菜单碟装盘时一般都要经过（）的步骤。A、垫底B、盖边C、装刀面D、装饰
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晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
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定影液有两个作用，溶解未曝光的AgBr和坚膜作用。
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填空题光刻工艺的分辨率决定于：（）和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率（）于负胶的分辨率；光刻胶越薄，分辨率越（）。
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填空题常规硅集成电路平面制造工艺中光刻工序包括的步骤有（）、（）、（）、（）、（）、（）、（）等。
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单选题光刻加工的工艺过程为：（）A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
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问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
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问答题简述光刻工艺步骤。
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问答题光刻工艺分为哪些步骤？
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判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A对B错
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问答题列出光刻工艺的十个步骤，并简述每一步的目的。
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问答题简述光刻工艺的8个基本步骤。
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单选题不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤： 1.刻蚀 2.前烘 3..显影 4.去胶 5.涂胶 6.曝光 7.坚膜 以下选项排列正确的是：（）。A2561437B5263471C5263741D5263714。
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问答题常见的光刻对准曝光设备有？
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填空题光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。
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判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
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多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
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