单选题上釉的烧结温度是(  )。ABCDE

单选题
上釉的烧结温度是(  )。
A

B

C

D

E


参考解析

解析: 一般以低于体瓷烧结温度6~8℃进行烧结,以保证体瓷不变形。若采用体瓷、透明瓷自身上釉,需将炉温升至高于体瓷烧结温度10℃以内。

相关考题:

上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确

若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20~30℃B、高10~20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10~20℃

用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6~8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面

PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6~8℃C、低于体瓷烧结温度10~20℃D、高于体瓷烧结温度6~8℃E、高于体瓷烧结温度10~20℃

烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。

上釉的烧结温度是A.低于体瓷温度5℃B.低于体瓷温度10℃C.低于体瓷温度20℃D.高于体瓷温度5℃E.高于体瓷温度10℃

以下关于金瓷冠的描述,错误的是A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成

在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是A.31~40℃B.21~30℃C.10℃以内D.11~20℃E.5℃

若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

上釉的烧结温度是()。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确

以下关于金属烤瓷冠的描述中错误的是()A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成

单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是()。A31~40℃B21~30℃C10℃以内D11~20℃E5℃

单选题用釉粉上釉的烧结温度是(  )。ABCDE

单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是(  )。ABCDE

单选题若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度(  )。A高20~30℃B高10~20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10~20℃

单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确

单选题上釉的烧结温度是(  )。ABCDE

单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉,上釉有两种方法:自行上釉和分别上釉,其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟,高于体瓷烧熔温度的范围是(  )。A31~40℃B21~30℃C10℃以内D11~20℃E5℃

单选题以下关于金瓷冠的描述,错误的是()A瓷层越厚越好B镍铬合金基底冠较金合金强度好C避免多次烧结D体瓷要在真空中烧结E上釉在空气中完成

单选题PFM冠上釉时的炉温是(  )。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6~8℃C低于体瓷烧结温度10~20°CD高于体瓷烧结温度6~8℃E高于体瓷烧结温度10~20℃