单选题上釉的烧结温度是（　　）。ABCDE

单选题
上釉的烧结温度是（　　）。
A

B

C

D

E

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上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
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若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
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用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
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PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
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烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。
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上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
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以下关于金瓷冠的描述，错误的是A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成
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在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A．31～40℃B．21～30℃C．10℃以内D．11～20℃E．5℃
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若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
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以下关于金属烤瓷冠的描述中错误的是（）A、瓷层越厚越好B、镍铬合金基底冠较金合金强度好C、避免多次烧结D、体瓷要在真空中烧结E、上釉在空气中完成
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单选题真空烤瓷炉对其温度参数和时间参数进行精密的控制。在使用中要求操作人员按严格的程序进行操作。在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（）。A31～40℃B21～30℃C10℃以内D11～20℃E5℃
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单选题用釉粉上釉的烧结温度是（　　）。ABCDE
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单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（　　）。ABCDE
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单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（　　）。A高20～30℃B高10～20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10～20℃
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单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
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单选题在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是（　　）。A31～40℃B21～30℃C10℃以内D11～20℃E5℃
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单选题以下关于金瓷冠的描述，错误的是（）A瓷层越厚越好B镍铬合金基底冠较金合金强度好C避免多次烧结D体瓷要在真空中烧结E上釉在空气中完成
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单选题PFM冠上釉时的炉温是（　　）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃
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