若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度
A、高20～30℃
B、高10～20℃
C、高10℃以内
D、低10℃以内
E、低10～20℃
相关考题：
PFM烧结过程,下列说法正确的有 A、正式烧结之前应干燥5～7分钟，防止固瓷层内残留水分过多在加热烧结时形成气泡B、烧结温度应比遮色瓷烧结温度低10℃～20℃C、烧结程序结束时，应及时将烘烤盘移至圹掌平台之外D、烧结起始温度低，升温速度过慢，会延长烧结时间，易引起牙冠变形或颜色变浊E、烧结开始时应1～230L／分钟速度排气，以低于瓷熔点100℃以下温度升温
引物的退火温度与解链温度(Tm)的关系通常是( )。A、退火温度比Tm高5℃～10℃B、退火温度比Tm低5℃～10℃C、退火温度比Tm低10℃～15℃D、退火温度比Tm高15℃～20℃E、退火温度比Tm低15℃～20℃
某技师采用二次法烧结遮色层，第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是A．第一层与第二层烧结温度一致B．第一层烧结温度比第二层低30～50℃C．第一层烧结温度比第二层低10～20℃D．第一层烧结温度比第二层高10～20℃E．第一层烧结温度比第二层高30～50℃
在烤瓷过程中有一道工艺叫上釉，上釉有两种方法：自行上釉和分别上釉，其中自行上釉要求把烧好的瓷体在高于体瓷烧熔温度下保持数分钟，高于体瓷烧熔温度的范围是A．31～40℃B．21～30℃C．10℃以内D．11～20℃E．5℃