上釉的烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是( )。A.低于体瓷烧结温度5℃B.低于体瓷烧结温度10℃C.高于体瓷烧结温度5℃D.高于体瓷烧结温度10℃E.以上均不正确
若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度A、高20～30℃B、高10～20℃C、高10℃以内D、低10℃以内E、低10～20℃
用釉粉上釉的烧结温度是A.低于体瓷烧结温度6～8℃B.高于体瓷烧结温度10℃C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间D.形成较光的表面，防止瓷层烧结时产生气泡E.防止磨料成分污染金属表面
PFM冠上釉时的炉温是A、与体瓷的烧结温度相同B、低于体瓷烧结温度6～8℃C、低于体瓷烧结温度10～20℃D、高于体瓷烧结温度6～8℃E、高于体瓷烧结温度10～20℃
上釉的烧结温度是A．低于体瓷温度5℃B．低于体瓷温度10℃C．低于体瓷温度20℃D．高于体瓷温度5℃E．高于体瓷温度10℃
现代常用的施釉方法有（）A、上釉法B、淋釉釉C、喷釉法D、浸釉法
烧制前的最后一道工序是（）A、上釉B、施釉C、加釉D、上色
把坏体直接浸入釉中的是（）A、上釉B、淋釉釉C、加釉D、浸釉法
若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
上釉的烧结温度是（）。A、低于体瓷烧结温度5℃B、低于体瓷烧结温度10℃C、高于体瓷烧结温度5℃D、高于体瓷烧结温度10℃E、以上均不正确
烧结矿中薄壁大气孔结构产生产原因是生成（）。A、烧结温度太低B、烧结温度太高C、焦粉配比太多D、液相量太多
对于坏形大，不易拿放的坏体采用的上釉法是（）A、上釉法B、淋釉釉C、喷釉法D、浸釉法
薄胎瓷、大花瓶等制品适宜用（）上釉。A、浸釉法B、喷釉法C、浇釉法D、荡釉
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（ ）。ABCDE
单选题若采用自身上釉，烧结温度比体瓷的烧结温度（ ）。A高20～30℃B高10～20℃C高10℃以内D低10℃以内E低10～20℃
单选题对于坏形大，不易拿放的坏体采用的上釉法是（）A上釉法B淋釉釉C喷釉法D浸釉法
单选题上釉的烧结温度是（）A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
单选题影响烧结的因素不包括（）A原始粉料的粒度B外加剂C烧结温度D烧结速度
单选题陶器完成的最后一道工序是（）A烧成B上釉C施釉D浸釉
单选题若采用体瓷、透明瓷自身上釉，烧结温度是（）。A低于体瓷烧结温度5℃B低于体瓷烧结温度10℃C高于体瓷烧结温度5℃D高于体瓷烧结温度10℃E以上均不正确
单选题把坏体直接浸入釉中的是（）A上釉B淋釉釉C加釉D浸釉法
单选题现代常用的施釉方法有（）A上釉法B淋釉釉C喷釉法D浸釉法
单选题薄胎瓷、大花瓶等制品适宜用（）上釉。A浸釉法B喷釉法C浇釉法D荡釉
单选题PFM冠上釉时的炉温是（ ）。A与体瓷的烧结温度相同B低于体瓷烧结温度6～8℃C低于体瓷烧结温度10～20°CD高于体瓷烧结温度6～8℃E高于体瓷烧结温度10～20℃